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万向娱乐:存储大厂NAND技术迎突破
作者:万向官网    发布于:2024-07-04 15:45:22    文字:【】【】【
摘要:AI人工智能正推动存储器产业强劲发展,AI应用带来了海量数据增长,存储容量与性能需求大幅提升,NAND Flash技术重要性不断凸显。因此,存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时,也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示,三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。 三星第九代V-NAND闪存材料技术突破 三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,今年
AI人工智能正推动存储器产业强劲发展,AI应用带来了海量数据增长,存储容量与性能需求大幅提升,NAND Flash技术重要性不断凸显。因此,存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时,也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示,三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。 三星第九代V-NAND闪存材料技术突破 三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,今年下半年三星将开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。与第八代V-NAND相比,第九代V-NAND 万向娱乐 1Tb TLC产品提高约50%的位密度(bit density),功耗也降低了10%。 近日韩媒The Elec报道,三星正在其第九代V-NAND“金属布线”(metal wiring)环节中首次使用钼(Mo)材料。 “金属布线”是半导体制造过程的一大工艺,使用不同的方式连接数十亿个电子元器件,形成不同的半导体产品。目前, NAND工艺中所使用的材料是六氟化钨(WF6),随着钨材料在降低层高方面不断触及物理极限,三星开始锁定钼作为替代材料。据悉,三星的这一转变有望进一步缩减层高并降低NAND响应时间,性能将进一步提升。 不过,引入钼材料要求生产设备能够耐高温处理,将固态钼原材料加热至600 ℃以转化为气态,为此三星已从Lam Research公司引进了五台Mo沉积机,还计划明年再引进20台设备。此外,三星正与多家相关供应商紧密合作,包括Entegris和Air Liquide公司。 除了三星之外,报道指出美光等存储大厂也在探索钼应用于NAND生产的可行性。 铠侠推出2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存 7月3日,铠侠宣布已经开始使用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术,向客户提供2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品,该款产品在业内拥有最大容量,有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长。 据悉,铠侠通过专有工艺和创新架构,在存储芯片的垂直和横向扩展上均取得了突破,并采用了CBA(CMOS直接键合到阵列)技术,以制造更高密度的设备,并提供3.6Gbps接口速度。 铠侠表示,与公司当前第五代QLC设备(铠侠产品中容量最高)相比,2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存位密度约提高了2.3倍,写入能效比提高了约70%,全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片,从而为业界提供4TB容量,同时,它还具有更小的封装尺寸(11.5 x 13.5毫米)和1.5毫米的封装高度。 除了2Tb QLC之外,铠侠还在其产品组合中增加了1Tb QLC存万向平台储设备。与容量优化的2Tb QLC相比,性能优化的1Tb QLC的顺序写入速度大约提高了30%,读取延迟大约改善了15%。1Tb QLC将被部署于高性能应用中,包括客户端SSD和移动设备。 QLC SSD,人工智能领域大有可为! 与多层单元(MLC)和三层单元(TLC)设备相比,QLC NAND每个单元可以存储更多数据,显著提升存储性能。因此,无论是三星还是铠侠,针对QLC NAND皆有布局。 此前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域,随着AI大模型不断普及,数据中心存储需求不断激增,QLC NAND尤其是QLC SSD有望在AI、大数据领域大显身手。 受益于AI需求推升,全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预估,2024全年QLC Enterprise SSD出货位元上看30EB(EB;Exabyte),较2023年成长四倍。


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